DMP1012UCB9-7 - MOSFET P-CH 8V 10A

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Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET P-CH 8V 10A
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMP1012UCB9-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMP1012UCB9-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET P-CH 8V 10A
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 8V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 4V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 890mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : U-WLB1515-9
Paquet / caisse : 9-UFBGA, WLBGA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMP1 , DMP101

Documents pour DMP1012UCB9-7

Feuilles de données : DMP1012UCB9-7.pdf

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