TK25E60X5,S1X - MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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138545 Pieces
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Spécifications pour TK25E60X5,S1X
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
TK25E60X5,S1X
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
Séries :
DTMOSIV-H
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
25A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
140 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.2mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2400pF @ 300V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
180W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-220
Paquet / caisse :
TO-220-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour TK25E60X5,S1X
Feuilles de données :
TK25E60X5,S1X.pdf
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