PMPB23XNE,115 - MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN

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MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN
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Spécifications pour PMPB23XNE,115

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PMPB23XNE,115
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1136pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DFN2020MD-6
Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : PMPB , PMPB23

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Feuilles de données : PMPB23XNE,115.pdf

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