NTHC5513T1G - MOSFET N/P-CH 20V 1206A
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-NTHC5513T1G
Fabricant
Brève description
MOSFET N/P-CH 20V 1206A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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Spécifications pour NTHC5513T1G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NTHC5513T1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N/P-CH 20V 1206A
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.9A, 2.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 10V
Puissance - Max : 1.1W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SMD, Flat Lead
Package d'appareils du fournisseur : ChipFET™
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NTHC5513T1G
Feuilles de données : NTHC5513T1G.pdf
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