APTM120A29FTG - MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
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Brève description
MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour APTM120A29FTG
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : APTM120A29FTG
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 374nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 10300pF @ 25V
Puissance - Max : 780W
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : SP4
Package d'appareils du fournisseur : SP4
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour APTM120A29FTG
Feuilles de données : APTM120A29FTG.pdf
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