RFN2LAM6STR - DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-RFN2LAM6STR
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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Spécifications pour RFN2LAM6STR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RFN2LAM6STR
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1.5A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.55V @ 1.5A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 35ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 1µA @ 600V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOD-128
Package d'appareils du fournisseur : PMDTM
Température de fonctionnement - Jonction : 150°C (Max)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour RFN2LAM6STR
Feuilles de données : RFN2LAM6STR.pdf
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