AS4C512M8D3B-12BAN - IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
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IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AS4C512M8D3B-12BAN
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AS4C512M8D3B-12BAN
Fabricant : Alliance Memory, Inc.
La description : IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
Séries : Automotive, AEC-Q100
Statut de la pièce : Preliminary
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR3
Taille mémoire : 4Gb (512M x 8)
Fréquence d'horloge : 800MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 20ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.425V ~ 1.575V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 105°C (TC)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 78-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 78-FBGA (9x10.5)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour AS4C512M8D3B-12BAN
Feuilles de données : AS4C512M8D3B-12BAN.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 4700PF 14KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 4000PF 20KV SCREW. | ||
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