DMN3009SFGQ-7 - MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

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MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8
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Spécifications pour DMN3009SFGQ-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN3009SFGQ-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 16A (Ta), 45A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2nF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 900mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerDI3333-8
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMN3 , DMN300

Documents pour DMN3009SFGQ-7

Feuilles de données : DMN3009SFGQ-7.pdf

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