IPP50R520CPHKSA1 - MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220

Référence fabricant

IPP50R520CPHKSA1

Numéro de pièce interne

AX-IPP50R520CPHKSA1

Fabricant

Infineon Technologies

Brève description

MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IPP50R520CPHKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IPP50R520CPHKSA1

Fabricant : Infineon Technologies

La description : MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220

Séries : CoolMOS™

Statut de la pièce : Obsolete

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 550V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 7.1A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 520 mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 680pF @ 100V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 66W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-3-1

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IPP50 , IPP50R52

Documents pour IPP50R520CPHKSA1

Feuilles de données : IPP50R520CPHKSA1.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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