CSD17318Q2 - 30V N CH MOSFET

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30V N CH MOSFET
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour CSD17318Q2

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : CSD17318Q2
Fabricant : Texas Instruments
La description : 30V N CH MOSFET
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.1 mOhm @ 8A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 879pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 16W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-WSON (2x2)
Paquet / caisse : 6-WDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
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