NGTB60N65FL2WG - 650V/60A IGBT FSII
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Brève description
650V/60A IGBT FSII
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NGTB60N65FL2WG
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NGTB60N65FL2WG
Fabricant : ON Semiconductor
La description : 650V/60A IGBT FSII
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type IGBT : Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) : 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) : 100A
Courant - collecteur pulsé (Icm) : 240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 60A
Puissance - Max : 595W
Énergie de commutation : 1.59mJ (on), 660µJ (off)
Type d'entrée : Standard
Charge de la porte : 318nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C : 117ns/265ns
Condition de test : 400V, 60A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) : 96ns
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : TO-247-3
Package d'appareils du fournisseur : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NGTB60N65FL2WG
Feuilles de données : NGTB60N65FL2WG.pdf
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