MT49H8M36SJ-25E:B TR - IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
27503 Pieces
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Spécifications pour MT49H8M36SJ-25E:B TR
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
MT49H8M36SJ-25E:B TR
Fabricant :
Micron Technology Inc.
La description :
IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
DRAM
Taille mémoire :
288Mb (8M x 36)
Fréquence d'horloge :
400MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
-
Temps d'accès :
15ns
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement :
0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
144-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur :
144-FBGA (18.5x11)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Liens connexes :
MT49H8 , MT49H8M36S
Documents pour MT49H8M36SJ-25E:B TR
Feuilles de données :
MT49H8M36SJ-25E:B TR.pdf
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KEMET |
CAP CER 0805 150NF 63V X7R 10. |
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CAP CER 5000PF 20KV SCREW. |
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CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK. |
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CAP CER 5000PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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EPCOS (TDK) |
CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL. |
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