AUIRF7343Q - MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC

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MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
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Spécifications pour AUIRF7343Q

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AUIRF7343Q
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.7A, 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 740pF @ 25V
Puissance - Max : 2W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SO
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : AUI , AUIRF

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