W9412G6KH-5 TR - IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
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IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour W9412G6KH-5 TR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : W9412G6KH-5 TR
Fabricant : Winbond Electronics
La description : IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR
Taille mémoire : 128Mb (8M x 16)
Fréquence d'horloge : 200MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 50ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 2.3V ~ 2.7V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 66-TSOP II
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour W9412G6KH-5 TR
Feuilles de données : W9412G6KH-5 TR.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 14KV SCREW. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. | ||
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