NDDP010N25AZT4H - MOSFET N-CH 250V 10A TP-FA
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MOSFET N-CH 250V 10A TP-FA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NDDP010N25AZT4H
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NDDP010N25AZT4H
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 250V 10A TP-FA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 980pF @ 20V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : DPAK/TP-FA
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NDDP010N25AZT4H
Feuilles de données : NDDP010N25AZT4H.pdf
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