FDS8984_F123 - MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC

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MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
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Spécifications pour FDS8984_F123

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDS8984_F123
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
Séries : *
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : -
Caractéristique FET : -
Drain à la tension source (Vdss) : -
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : -
Température de fonctionnement : -
Type de montage : -
Paquet / caisse : -
Package d'appareils du fournisseur : -
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FDS8 , FDS898

Documents pour FDS8984_F123

Feuilles de données : FDS8984_F123.pdf

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