TPC6008-H(TE85L,FM - MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
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Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour TPC6008-H(TE85L,FM
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
TPC6008-H(TE85L,FM
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
Séries :
U-MOSVI-H
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
5.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
4.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
300pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
700mW (Ta)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
VS-6 (2.9x2.8)
Paquet / caisse :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour TPC6008-H(TE85L,FM
Feuilles de données :
TPC6008-H(TE85L,FM.pdf
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