IPP60R190C6XKSA1 - MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220

Référence fabricant
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Brève description
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPP60R190C6XKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPP60R190C6XKSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
Séries : CoolMOS™
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 630µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 151W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-3
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPP60 , IPP60R19

Documents pour IPP60R190C6XKSA1

Feuilles de données : IPP60R190C6XKSA1.pdf

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