IPP50R380CEXKSA1 - MOSFET N CH 500V 9.9A PGTO220

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MOSFET N CH 500V 9.9A PGTO220
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Spécifications pour IPP50R380CEXKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPP50R380CEXKSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N CH 500V 9.9A PGTO220
Séries : CoolMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 260µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 24.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 584pF @ 100V
Caractéristique FET : Super Junction
Dissipation de puissance (max) : 73W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-3
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPP50 , IPP50R38

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Feuilles de données : IPP50R380CEXKSA1.pdf

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