W947D2HBJX6E TR - IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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238060 Pieces
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Spécifications pour W947D2HBJX6E TR
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
W947D2HBJX6E TR
Fabricant :
Winbond Electronics
La description :
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM - Mobile LPDDR
Taille mémoire :
128Mb (4M x 32)
Fréquence d'horloge :
166MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
15ns
Temps d'accès :
5ns
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement :
-25°C ~ 85°C (TC)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
90-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur :
90-VFBGA (8x13)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour W947D2HBJX6E TR
Feuilles de données :
W947D2HBJX6E TR.pdf
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