MT40A1G8WE-075E:B TR - IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
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IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MT40A1G8WE-075E:B TR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MT40A1G8WE-075E:B TR
Fabricant : Micron Technology Inc.
La description : IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR4
Taille mémoire : 8Gb (1G x 8)
Fréquence d'horloge : 1.33GHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : -
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.14V ~ 1.26V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 78-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 78-FBGA (8x12)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : MT40A1 , MT40A1G8WE
Documents pour MT40A1G8WE-075E:B TR
Feuilles de données : MT40A1G8WE-075E:B TR.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 8400PF 18KV. | ||
| AVX Corporation | CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206. | ||
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