NTD3808N-1G - MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

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MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
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Spécifications pour NTD3808N-1G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NTD3808N-1G
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 16V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A (Ta), 76A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1660pF @ 12V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.3W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : I-PAK
Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : NTD , NTD38

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