BSP135H6327XTSA1 - MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour BSP135H6327XTSA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
BSP135H6327XTSA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Séries :
SIPMOS®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
120mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 Ohm @ 120mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 94µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
4.9nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
146pF @ 25V
Caractéristique FET :
Depletion Mode
Dissipation de puissance (max) :
1.8W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
SOT-223-4
Paquet / caisse :
TO-261-4, TO-261AA
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour BSP135H6327XTSA1
Feuilles de données :
BSP135H6327XTSA1.pdf
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