DMTH6004SPSQ-13 - MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
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MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMTH6004SPSQ-13
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMTH6004SPSQ-13
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 25A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 95.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4556pF @ 30V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerDI5060-8
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour DMTH6004SPSQ-13
Feuilles de données : DMTH6004SPSQ-13.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 5000PF 14KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 7600PF 14KV SCREW. | ||
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