EMF8T2R - TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-EMF8T2R
Fabricant
Brève description
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
3384035 Pieces
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Spécifications pour EMF8T2R
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
EMF8T2R
Fabricant :
Rohm Semiconductor
La description :
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Séries :
-
Statut de la pièce :
Not For New Designs
Type de transistor :
1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
100mA, 500mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) :
50V, 12V
Résistance - Base (R1) :
47 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) :
47 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) :
500nA
Fréquence - Transition :
250MHz, 320MHz
Puissance - Max :
150mW
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur :
EMT6
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour EMF8T2R
Feuilles de données :
EMF8T2R.pdf
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