CDBGBSC201200-G - DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour CDBGBSC201200-G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : CDBGBSC201200-G
Fabricant : Comchip Technology
La description : DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Configuration de la diode : 1 Pair Common Cathode
Type de diode : Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) : 25.9A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.8V @ 10A
La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 100µA @ 1200V
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : TO-247-3
Package d'appareils du fournisseur : TO-247
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour CDBGBSC201200-G
Feuilles de données : CDBGBSC201200-G.pdf
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