SIA537EDJ-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
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MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SIA537EDJ-T1-GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SIA537EDJ-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 12V, 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 455pF @ 6V
Puissance - Max : 7.8W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SIA537EDJ-T1-GE3
Feuilles de données : SIA537EDJ-T1-GE3.pdf
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