EDB1332BDBH-1DAAT-F-D - IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
75880 Pieces
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Spécifications pour EDB1332BDBH-1DAAT-F-D
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D
Fabricant :
Micron Technology Inc.
La description :
IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM - Mobile LPDDR2
Taille mémoire :
1Gb (32M x 32)
Fréquence d'horloge :
533MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
-
Temps d'accès :
-
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
1.14V ~ 1.95V
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 105°C (TC)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
134-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur :
134-VFBGA (10x11.5)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Liens connexes :
EDB1332 , EDB1332BDB
Documents pour EDB1332BDBH-1DAAT-F-D
Feuilles de données :
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D.pdf
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KEMET |
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