PHB38N02LT,118 - MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK
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MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PHB38N02LT,118
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PHB38N02LT,118
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK
Séries : TrenchMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 44.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15.1nC @ 5V
Vgs (Max) : 12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 20V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 57.6W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D2PAK
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour PHB38N02LT,118
Feuilles de données : PHB38N02LT,118.pdf
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