FDMD86100 - MOSFET 2N-CH 100V
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDMD86100
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 100V
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
303445 Pieces
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Spécifications pour FDMD86100
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
FDMD86100
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET 2N-CH 100V
Séries :
PowerTrench®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual) Common Source
Caractéristique FET :
Standard
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2060pF @ 50V
Puissance - Max :
2.2W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur :
8-Power 5x6
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour FDMD86100
Feuilles de données :
FDMD86100.pdf
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