BAQ33-GS18 - DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-BAQ33-GS18
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
11012880 Pieces
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Spécifications pour BAQ33-GS18
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BAQ33-GS18
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE GEN PURP 30V 200MA SOD80
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 30V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 200mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1V @ 100mA
La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : 1nA @ 15V
Capacité @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Package d'appareils du fournisseur : SOD-80 MiniMELF
Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BAQ33-GS18
Feuilles de données : BAQ33-GS18.pdf
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