BSZ900N15NS3GATMA1 - MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8

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MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
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Spécifications pour BSZ900N15NS3GATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSZ900N15NS3GATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 150V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 13A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 20µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 510pF @ 75V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 38W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-TSDSON-8
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSZ900 , BSZ900N15

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