C2M0160120D - MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-C2M0160120D
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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53430 Pieces
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Spécifications pour C2M0160120D
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
C2M0160120D
Fabricant :
Cree/Wolfspeed
La description :
MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
Séries :
Z-FET™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) :
1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
196 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
32.6nC @ 20V
Vgs (Max) :
+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
527pF @ 800V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
125W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-247-3
Paquet / caisse :
TO-247-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour C2M0160120D
Feuilles de données :
C2M0160120D.pdf
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