FDC6312P - MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6

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MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
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Spécifications pour FDC6312P

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDC6312P
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
Séries : PowerTrench®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 7nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 467pF @ 10V
Puissance - Max : 700mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur : SuperSOT™-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FD , FDC6

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