RQ3E075ATTB - MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-RQ3E075ATTB
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
1084425 Pieces
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Spécifications pour RQ3E075ATTB
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
RQ3E075ATTB
Fabricant :
Rohm Semiconductor
La description :
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
10.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
930pF @ 15V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
15W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-HSMT (3.2x3)
Paquet / caisse :
8-PowerVDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour RQ3E075ATTB
Feuilles de données :
RQ3E075ATTB.pdf
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CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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