PMV65UN,215 - MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23

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MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23
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Spécifications pour PMV65UN,215

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PMV65UN,215
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 76 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.9nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 183pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 310mW (Ta), 2.17W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-236AB (SOT23)
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : PMV , PMV65

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Feuilles de données : PMV65UN,215.pdf

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