DMG8601UFG-7 - MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

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MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
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Spécifications pour DMG8601UFG-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMG8601UFG-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.05V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8.8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 143pF @ 10V
Puissance - Max : 920mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerUDFN
Package d'appareils du fournisseur : U-DFN3030-8
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMG8 , DMG860

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