JAN1N6641US - DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-JAN1N6641US
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
47250 Pieces
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Spécifications pour JAN1N6641US
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : JAN1N6641US
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
Séries : Military, MIL-PRF-19500/609
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 50V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 300mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.1V @ 300mA
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 5ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 100nA @ 50V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SQ-MELF, B
Package d'appareils du fournisseur : D-5B
Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour JAN1N6641US
Feuilles de données : JAN1N6641US.pdf
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