IRLHS6376TR2PBF - MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN

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MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IRLHS6376TR2PBF

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IRLHS6376TR2PBF
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 10µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 25V
Puissance - Max : 1.5W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 6-VDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur : 6-PQFN (2x2)
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IRLHS , IRLHS63

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Feuilles de données : IRLHS6376TR2PBF.pdf

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