HS1DL RQG - DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour HS1DL RQG

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : HS1DL RQG
Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation
La description : DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 1A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 950mV @ 1A
La vitesse : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 5µA @ 200V
Capacité @ Vr, F : 20pF @ 4V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : DO-219AB
Package d'appareils du fournisseur : Sub SMA
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : HS1 , HS1D

Documents pour HS1DL RQG

Feuilles de données : HS1DL RQG.pdf

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Numéro d'article Marque La description Acheter

C0805C154KMREC

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WF125405WJ10338BJ1

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PEF220WH10338BK1

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CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.

WI140266WQ75236BJ1

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WF125300WJ76238BJ1

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CDR02BP221BKMSAB

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CAP CER 220PF 100V BP 1805.

PEF220WH10336BK1

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