FDMA2002NZ_F130 - INTEGRATED CIRCUIT
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
INTEGRATED CIRCUIT
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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32711 Pieces
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Spécifications pour FDMA2002NZ_F130
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
FDMA2002NZ_F130
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
INTEGRATED CIRCUIT
Séries :
PowerTrench®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
123 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
3nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
220pF @ 15V
Puissance - Max :
650mW
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
6-VDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur :
6-MicroFET (2x2)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour FDMA2002NZ_F130
Feuilles de données :
FDMA2002NZ_F130.pdf
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