IPB160N04S3H2ATMA1 - MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
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Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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Spécifications pour IPB160N04S3H2ATMA1
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IPB160N04S3H2ATMA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Séries :
OptiMOS™
Statut de la pièce :
Not For New Designs
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
160A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 150µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
145nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
9600pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
214W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
PG-TO263-7-3
Paquet / caisse :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IPB160N04S3H2ATMA1
Feuilles de données :
IPB160N04S3H2ATMA1.pdf
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CAP CER 1000PF 100V BP 1206. |
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