NSB8JTHE3_A/P - DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
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DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour NSB8JTHE3_A/P
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : NSB8JTHE3_A/P
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Séries : Automotive, AEC-Q101
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 600V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 8A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.1V @ 8A
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 600V
Capacité @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur : TO-263AB
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour NSB8JTHE3_A/P
Feuilles de données : NSB8JTHE3_A/P.pdf
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