IXTA1N100 - MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263

Référence fabricant

IXTA1N100

Numéro de pièce interne

AX-IXTA1N100

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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Spécifications pour IXTA1N100

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXTA1N100

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 1000V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.5A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 25µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 400pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 54W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-263 (IXTA)

Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXT , IXTA

Documents pour IXTA1N100

Feuilles de données : IXTA1N100.pdf

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Numéro d'article	Marque	La description
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