71T75602S166BG8 - IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
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IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 71T75602S166BG8
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 71T75602S166BG8
Fabricant : IDT, Integrated Device Technology Inc
La description : IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : SRAM
La technologie : SRAM - Synchronous ZBT
Taille mémoire : 18Mb (512K x 36)
Fréquence d'horloge : 166MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : 3.5ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 2.375V ~ 2.625V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 119-BGA
Package d'appareils du fournisseur : 119-PBGA (14x22)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour 71T75602S166BG8
Feuilles de données : 71T75602S166BG8.pdf
Produits associés pour 71T75602S166BG8 IDT, Integrated Device Technology Inc
| Numéro d'article | Marque | La description | Acheter |
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 1000PF 14KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 100PF 16KV DISK. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 1000PF 14KV SCREW. | ||
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