MT53B128M32D1NP-062 WT:A - IC DRAM 4G 1600MHZ
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC DRAM 4G 1600MHZ
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
53560 Pieces
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Spécifications pour MT53B128M32D1NP-062 WT:A
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
MT53B128M32D1NP-062 WT:A
Fabricant :
Micron Technology Inc.
La description :
IC DRAM 4G 1600MHZ
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM - Mobile LPDDR4
Taille mémoire :
4Gb (128M x 32)
Fréquence d'horloge :
1600MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
-
Temps d'accès :
-
Interface mémoire :
-
Tension - Alimentation :
1.1V
Température de fonctionnement :
-30°C ~ 85°C (TC)
Type de montage :
-
Paquet / caisse :
-
Package d'appareils du fournisseur :
-
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Liens connexes :
MT53B128 , MT53B128M32D
Documents pour MT53B128M32D1NP-062 WT:A
Feuilles de données :
MT53B128M32D1NP-062 WT:A.pdf
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CAP CER 25PF 30KV. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 12KV SCREW. |
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AVX Corporation |
CAP CER 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R |
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