IPD30N06S223ATMA2 - MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
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MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPD30N06S223ATMA2
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPD30N06S223ATMA2
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 901pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 100W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO252-3-11
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IPD30N06S223ATMA2
Feuilles de données : IPD30N06S223ATMA2.pdf
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