SSM6N7002BFE,LM - MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
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Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SSM6N7002BFE,LM
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SSM6N7002BFE,LM
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
17pF @ 25V
Puissance - Max :
150mW
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
SOT-563, SOT-666
Package d'appareils du fournisseur :
ES6
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SSM6N7002BFE,LM
Feuilles de données :
SSM6N7002BFE,LM.pdf
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