R6018ANJTL - MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-R6018ANJTL
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
161350 Pieces
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Spécifications pour R6018ANJTL
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
R6018ANJTL
Fabricant :
Rohm Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
Séries :
-
Statut de la pièce :
Not For New Designs
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
18A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
55nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2050pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
100W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
LPTS
Paquet / caisse :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour R6018ANJTL
Feuilles de données :
R6018ANJTL.pdf
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