2N7002-7-F - MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

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MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
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Spécifications pour 2N7002-7-F

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 2N7002-7-F
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 115mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 370mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : 2N7 , 2N700

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Feuilles de données : 2N7002-7-F.pdf

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